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首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 晶体管

CMT06N60N220

power field effect transistor

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：虹冠电子(Champion)

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器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

虹冠电子(Champion)

包装说明

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Reach Compliance Code

unknown

雪崩能效等级（Eas）

180 mJ

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

最小漏源击穿电压

600 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6 A

最大漏极电流 (ID)

6 A

最大漏源导通电阻

1.2 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大反馈电容 (Crss)

60 pF

JEDEC-95代码

TO-220AB

JESD-30 代码

R-PSFM-T3

元件数量

1

端子数量

3

工作模式

ENHANCEMENT MODE

最高工作温度

150 °C

最低工作温度

-55 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

FLANGE MOUNT

极性/信道类型

N-CHANNEL

最大功率耗散 (Abs)

125 W

最大脉冲漏极电流 (IDM)

18 A

表面贴装

NO

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

SINGLE

晶体管应用

SWITCHING

晶体管元件材料

SILICON

最大关闭时间（toff）

135 ns

最大开启时间（吨）

90 ns